界面新闻记者 | 宋佳楠
11月19日，界面新闻从CFM闪存市场获悉，闪存价格呈现全面上涨态势，部分产品涨幅逼近40%。其中，1Tb QLC 涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13美元，512Gb TLC涨幅最高，达38.46%，涨至9美元，256Gb TLC 涨14.58%至5.50美元。
在昨日举行的小米业绩电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰也谈及存储成本攀升问题。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。
面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来缓解成本压力。
闪存，作为一种非易失性存储技术，在各类电子产品中广泛应用，常见的如手机、电脑的存储部件。与DRAM（动态随机存取存储器，常用于计算机内存，数据断电后会丢失）不同，闪存即使在断电后仍能保存数据。二者共同构成了当前主流半导体存储器的主要部分，在全球存储市场占据重要地位。
NAND闪存的核心是“存储单元”（Cell），就像一个个可存放数据的“小盒子”。QLC和TLC的命名便源于每个“小盒子”能存放的“数据位数”。QLC每个存储单元可存储4位数据，主要用于大容量SSD（固态硬盘）、数据中心存储设备等场景。而TLC每个存储单元可存储3位数据，是目前消费电子产品中最普及的闪存技术，常见于手机、笔记本电脑的SSD、U盘等。
近期闪存价格大幅上涨，受到多方面因素影响。在供给端，三星、SK海力士、铠侠、美光等存储行业巨头从今年下半年开始，集体削减NAND（闪存的一种技术类型）供应量。有行业产能调整清单显示，今年三到四季度，三星的NAND晶圆投入量同比减少15%，SK海力士直接砍了20%，铠侠和美光也分别削减了12%和18%。
与此同时，为抢占AI存储风口，各大巨头纷纷将传统TLC NAND产线改造为更适合AI数据中心的QLC工艺产线，这导致常规NAND产能进一步被挤压，加剧了市场供应紧张局面。
而在需求端，随着AI技术的迅猛发展，AI数据中心对存储需求呈爆发式增长。单台AI服务器的NAND用量是传统服务器的3倍，这使得大容量SSD需求激增。科技公司为保障自身业务发展，开启“恐慌性囤货”模式，纷纷砸钱抢订NAND配额。不少供应商明年的NAND供货配额已被抢订一空，进一步推动了价格上涨。
“四大类别的存储产品都出现了缺货涨价，在我30多年职业生涯里前所未见，这种情况令人头疼。”存储模组厂商威刚科技董事长陈立白在10月底的一场活动上这样表示。
TrendForce集邦咨询最新调查显示，2026年全球市场仍面临不确定性，特别是存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。
摩根士丹利在研报中预测，存储行业将开启一个持续数年的“超级周期”，全球存储市场规模有望在2027年迈向3000亿美元。