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证券时报记者 叶玲珍
7月11日晚间，银河微电（688689）发布公告，公司拟以3.1亿元投资实施“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”，旨在提升公司集成电路分立器件产品的生产加工能力，扩大生产规模。
公告显示，本次投资资金来源为公司自有资金或自筹资金，建设周期30个月，计划通过购置土地及开展厂房土建工程，为后续高端集成电路分立器件产业化基地建设奠定基础。
作为国内领先的半导体分立器件制造商，银河微电主要产品包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC及第三代半导体（SiC、GaN）器件，产品广泛应用于汽车电子、消费电子、工业控制、新能源及5G通信等领域。
近年来，受益于下游需求的强劲驱动，我国半导体分立器件行业市场规模持续扩大，业内企业相继收获红利。2022年至2024年，银河微电营业收入分别为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元，呈逐年上升态势。公司表示，受生产场地、设备及人力资源的限制，当前产能已难以满足日益增长的市场需求，本次推进相关半导体分立器件产能规模扩张，可促进业务发展，进一步提升盈利水平。
目前，硅材料平台仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在未来相当一段时间内占据主要市场，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正在逐步走向成熟，并在新能源汽车、光伏逆变器等场景的应用占比显著提升。
2024年，公司适时优化产品结构，重点提升MOS产品、TVS及稳压管产品的销售占比，推动产销量稳步增长，特别是在车规级半导体器件产业化项目方面，客户拓展取得显著突破。与此同时，进一步推进光电器件及IGBT器件扩产，加大对新增设备投入。
为抢抓市场机遇，银河微电持续加快高端产品研发及产业化进度。目前，公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片设计能力，并且实现了小批量应用。
在新产业布局方面，银河微电“车规级半导体器件产业化”项目进入产能爬坡阶段，产品涵盖IGBT、SiC MOSFET等，获得多家车企供应链认证，聚焦新能源汽车的电机控制、车载充电系统及ADAS领域，满足AEC-Q101等国际车规标准，逐步替代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端市场份额。同时，光电耦合器及LED产品已应用于工业自动化、医疗设备等领域， 并与多家客户合作，开发高精度传感器及电源管理模块。